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多孔石墨烯的制备方法

无模板法

无模板法包括刻蚀法、溶剂热法和化学气相沉积法。

刻蚀法

刻蚀法是利用刻蚀剂与石墨烯之间发生化学反应，使石墨烯表面的碳原子被反应刻蚀以后留下孔结构的一种方法。该方法对于材料的刻蚀具有明显的选择性，即刻蚀结束立刻停止，不会损坏其余层面的材料。

溶剂热法

溶剂热法是在特定的高压反应釜中，利用水或有机i溶剂作为反应体系，将其加热至临界温度，在高压反应体系中进行材料合成的一种方法，该方法极大地减少了环境污染，并且制备得到的多孔石墨烯材料具有孔径可控的优势。

化学气相沉积法

化学气相沉积法制备多孔石墨烯材料的主要过程是将甲i烷、乙i炔等含碳气体，再使气态碳源沉积到固态体基体表面，制备得到石墨烯，然后在保护气体中逐渐升温，终获得多孔石墨烯材料的一种方法。该方法操作简单、可大规模生产，且制得的多孔石墨烯材料结构完整，具有优良的导电性能。

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石墨烯的制备工艺

增长表面。获得石墨烯的一种完全不同的方法是直接在表面上种植石墨烯。因此，得到的层的大小并不依赖于初始的石墨晶体。。要么碳已经存在于底物中，单层石墨烯生产线，要么必须由化学气相沉积(CVD)添加。

化学汽相淀积

化学气相沉积化学气相沉积是一种众所周知的过程，在这种过程中，基底会暴露在气态化合物中。这些化合物在表面上分解，以形成薄膜，使其成为副产品。

有很多不同的方法来达到这个目的，例如用灯丝或等离子体加热样品。石墨烯可以增加了暴露的镍膜的气体混合物H2、CH4和Ar 1000°C。甲i烷在表面分解，从而使水基因蒸发。碳向Ni扩散。在原子层冷却后，石墨烯层在表面生长，微波单层石墨烯生产线，类似于Ni扩散法。因此，平均层数取决于镍的厚度，可以用这种方法控制。此外，石墨烯的形状也可以被控制。这些石墨烯层可以通过聚合物支持转移，它将附着在石墨烯的顶部。在刻蚀镍后，石墨烯可以被盖在所需的衬底上，聚合物的支撑被剥离或蚀刻。采用这种方法，可以将几层石墨烯冲压在一起，以减少电阻。由于旋转rel在其他层面上，涡轮层石墨没有伯纳堆积，因此单个石墨烯层很难改变它们的电子特性，因为它们与其他层的相互作用很小。

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石墨烯的制备工艺

剥落。基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面，石墨烯可以与已有的石墨晶体分离，即所谓的去角质方法，另一方面，石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年，专业单层石墨烯生产线，诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。

1“透明胶带法”

在这种微机械的去角质方法中，石墨烯用胶粘带从石墨晶体中分离出来。剥落石墨后，多层石墨烯仍留在磁带上。通过反复剥落多层石墨烯，将其裂解成不同的薄层石墨烯薄片。之后，胶带附着在基片上，胶水就解决了，例如用丙i酮，以分离胶带，后一个剥落的金属丝。所获得的薄片在尺寸和厚度上有很大的差异，在不同的尺寸范围内，从纳米材料到单层石墨烯，取决于所使用的晶圆片的制备。单层石墨烯的吸收率为2%，但由于干扰作用，在SiO2/Si的光学显微镜下可以看到。然而，这种方法很难获得大量的石墨烯，甚至不能考虑到缺乏可控性。这种方法的复杂性基本上是低的，然而，石墨烯薄片需要在地面上进行，这是劳动密集型的。所制备的石墨烯的质量非常高，单层石墨烯生产线报价，几乎没有缺陷。

2分散的石墨

石墨烯可以在液相中制备。这样可以提高产量，从而获得更高的石墨烯量。i简单的方法是将石墨分散在有机i溶剂中，其表面能量几乎与石墨相同。因此，能量障碍必须克服，才能从晶体中分离出来。然后超声在超声波浴中进行数百小时或电压的应用。在分散后，溶液必须离心，以处理厚片。所获得的石墨烯薄片的质量非常高，且具有很高的力学性能。但是它的大小仍然非常小，也不具备可控性。另一方面，复杂性很低，正如上面提到的，这个方法允许准备大量的图形。用热或化学方法将石墨烯导入常规石墨烯。几乎不可能处理掉所有的氧气。。这种方法的性能与原始石墨烯的液相剥离非常相似。只有复杂程度更高，因为石墨氧化物必须首先生产，所以需要使用几种化学物质。此外，所获得的氧化石墨烯必须在以后减少，使用热处理或化学试剂。与原始石墨烯相比，还原氧化石墨烯的质量很差，但氧化石墨烯可能是理想的产品。用Ca和Mg离子修饰的氧化石墨烯可以形成非常拉伸的氧化石墨烯纸，因为在石墨烯薄片的官能团之间，离子是交联剂。

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