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石墨烯的制备工艺

石墨烯是一种非常特殊的材料，因为它具有导电和透明的优点。材料的透明度通常取决于它的电子性能，需要一个带隙。在正常情况下，透明度和电导率相互排斥，除了一些化合物，如铟锡氧化物(ITO)。然而，与ITO相比，石墨烯也很灵活，能够承受高强度的压力。因此，它对于柔性电子设备的应用非常有吸引力，例如触摸屏。因此，有大量的工作需要解决。本综述中所描述的方法是根据不同的要求来评价的:石墨烯的纯度，它是由缺乏固有缺陷(质量)、获得的薄片或层(尺寸)来定义的。另一方面是可以同时产生的石墨烯的数量或者是特殊设计的机器的复杂性。后一个属性是该方法的可控性，以实现可重复的结果(控制)。

剥落基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面，石墨烯可以与已有的石墨晶体分离，即所谓的去角质方法，另一方面，石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年，诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。

增长表面获得石墨烯的一种完全不同的方法是直接在表面上种植石墨烯。因此，得到的层的大小并不依赖于初始的石墨晶体。。要么碳已经存在于底物中，要么必须由化学气相沉积(CVD)添加。

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发展前景分析

石墨烯作为“新材料之i王”，随着技术进步及商业化应用加速，正获得巨大发展前景 ，石墨烯制备技术的也在逐步趋于成熟和应用研发的逐步扩展，相信在各国政府和企业的大力推动下，研发成果转化与产业化将发展迅速。 我国在石墨烯领域的研究水平在国际上具有很强的竞争力，包括石墨烯净水技术在内的一些技术突破正逐渐从实验室走向市场应用。

石墨烯作为21世纪当之无愧的新材料之i王，其功能强大受到国家领i导人高度关注，它的出现正在引发新一轮的产业革命。“十三五”期间，我国欲将石墨烯打造成新材料产业发展的先导性产业。工i信部将以市场开发遇到的问题为导向，以终端产品的需求为牵引，采取一条龙模式，帮助企业构建完善产业链。《中国制造2025》重点领域技术路线图正式对外公布，中国石墨烯产业未来十年的发展路径也得到明确，总体目标是“2020年形成百亿产业规模，2025年整体产业规模突破千亿”。

相信石墨烯有关的新技术、新发明将会在不远的将来走进人们的日常生活，单层石墨烯生产线哪家好，给人类带来巨大福音。改变人们的生活。

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浅谈石墨烯的制备方法

化学气相沉积法：化学气相沉积法是指用甲i烷、乙醇等碳源（含碳前驱体）在高温下分解释放出碳原子，并经退火沉积在基底（多为金属基底）生长石墨烯的方法（俗称烧炉子╮(╯-╰)╭），是目前有可能得到大面积、高质量石墨烯的理想方法。

根据金属基底材料的不同，CVD 有两种生长机制：一是渗碳析碳生长，这是由金属基底在高温下溶碳量较高造成的（常见的有镍、钴等金属），单层石墨烯生产线，前驱体高温分解释放碳原子，碳沉积并渗入基底内，降温时析出生长形成石墨烯；二是表面吸附生长，铜、铂等金属溶碳量较小，碳原子直接吸附到金属表面生长形成石墨烯。这两种生长机制中后者更易形成大面积单层石墨烯。

外延生长法：1962年，Badami 在近乎真空的条件下对 SiC 加强热后发现了石墨的存在，这就是 SiC 外延生长的起源。外延生长一般是以 SiC 为原料，将其置于高温、低压环境中，利用 Si 原子的升华速度比 C 原子快得多把 Si 除去而只留下 C 在其表面，之后表面的 C 原子会发生重构生长形成石墨烯。

外延生长和 CVD 本质上都是利用碳原子在基底表面发生重构形成石墨烯片层，所以二者都能较好的实现石墨烯的大面积、高均一性的高质量生长，不过外延生长的条件更为苛刻，还存在 SiC 成本过高、石墨烯难以与基底分离等 CVD 法没有的困难，进而极大地限制了工业化应用。

有机合成法：一听名字就很容易让人联想到当年富勒烯的全合成，Maki-Arvela 等人以多环芳烃作为前驱体，在溶液中经可控反应通过环化脱氢和平面作用成功制备出了厚度低于5 nm的大片石墨烯。

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