广州福滔微波设备有限公司是集科研、试验、开发、制造为一体,以高科技、高技术、高质量、率为特征的高新技术企业。拥有一支十多年从事微波应用技术研究的骨干技术队伍,并积累了多项微波应用的技术,特别是在非标产品的工艺设计开发领域,具有的技术实力和保障。公司上下员工始终贯彻“品质求精、技术创新”,倡导“以人为本、诚信立业”的企业精神。欢迎咨询了解:石墨烯生产设备、石墨烯设备厂家、石墨烯干燥设备、石墨烯制造设备、石墨烯成套设备、微波石墨烯设备等。
广州福滔为您普及石墨烯应用领域
石墨烯导电性好,制备的发热材料、升温快、发热均匀、安全性好、功率不衰减、使用寿命长。可用于制作发热服、发热睡袋、发热鞋帽及手套、救生衣、潜水服等产品,穿着轻便、柔韧、舒适。也可用于低温下车辆启动管路加热、座垫加热、烤箱及食品加热、保温餐盒等。发热地暖、发热壁画及发热墙板等可用于部i队营房建设。石墨烯发热以红外形式辐射传热,对人体有理疗和保健作用,可做相应的理疗产品。
石墨烯导热性好,石墨烯散热材料与传统散热材料相比,重量轻、导热率高、辐射系数高、加工性能好,在集成电路、大功率器件、LED、电池等散热方面具有广阔的应用前景。适用于雷达、电磁炮、激光武i器、电力设备等高功率高集成度产品散热。目前石墨烯散热材料已在航天装备、华为Mate 20 X手机等产品上应用。石墨烯散热材料也可用于石油管道输送加热及煤矿进风口加热装置等。
广州福滔微波设备有限公司自成立以来一直致力于微波干燥设备的研制、生产和经营,同时也汇集了一批集科研、设计、生产、服务于一体的高素质人才,并长期同有关院校实行横向合作,对产品不断进行更新与开发。公司主营产品包括:石墨烯制造设备、石墨烯成套设备、微波石墨烯设备、石墨烯制备设备、微波石墨烯爆裂设备、石墨烯膨化等。福滔微波的产品广泛用于制药、化工、食品、饲料、矿产、农副、电子、轻工等行业,产品遍布,远销美国、日本、俄罗斯、香港、台湾等地。工厂还备有大型试验车间,品种样机齐全,欢迎客户带料试验和订货。
浅谈石墨烯的制备
目前获取石墨烯的途径大致可分为两大类,自上而下的顶层剥离(exfoliation)和自下而上的底层生长(growth):
一是利用各种物理、化学手段削弱石墨层与层间的范德华力剥离得到单层或少层石墨烯,主要有机械剥离法、液相剥离法、氧化还原剥离法,近几年也提出了诸如电化学剥离和超临界流体剥离的一些新颖方法(此处不做介绍);
二是通过化学反应合成石墨烯片层,有化学气相沉积法、外延生长法以及有机合成法。
机械剥离法
早在1999年,美国华盛顿大学的 Rodney S Ruoff 等人试图从高定向热解石墨(HOPG)出发,用氧等离子体刻蚀其表面得到形成一定形状的小“石墨岛”,再用原子力显微镜(AFM)探针进行精i确操控、剥离出单层的石墨烯[1],这就是机械剥离法的开端,即通过机械外力将石墨逐步剥离成石墨烯片层的方法。后来,Geim 等人沿此思路将刻蚀过的 HOPG 用光刻胶粘到玻璃衬底上,之后再用胶带反复粘贴撕下以得到石墨烯片层,足够次数后把附有片层的玻璃衬底置于丙i酮溶液中超声处理使片层脱附,后将硅片(表层是薄薄的二氧化硅)放入丙i酮溶液中,在范德华力作用下,石墨烯片层会自动吸附到硅片上[2]。
机械剥离制得的石墨烯质量相对较高,但产率低、尺寸小且层数难以控制,目前只能用于实验室研究使用。
广州福滔微波设备有限公司是集科研、试验、开发、制造为一体,以高科技、高技术、高质量、为特征的高新技术企业。拥有一支十多年从事微波应用技术研究的骨干技术队伍,并积累了多项微波应用的技术,特别是在非标产品的工艺设计开发领域,具有的技术实力和保障。公司上下员工始终贯彻“品质求精、技术创新”,倡导“以人为本、诚信立业”的企业精神。欢迎咨询了解:石墨烯生产设备、石墨烯设备厂家、石墨烯干燥设备、石墨烯制造设备、石墨烯成套设备、微波石墨烯设备等。
石墨烯的制备工艺
剥落基本上有两种不同的方法来制备石墨烯。一方面,石墨烯可以与已有的石墨晶体分离,即所谓的去角质方法,另一方面,石墨烯层可以直接在基质层上生长。2004年,诺沃塞洛夫和Gaim用一种简单的胶粘带将石墨烯制成了石墨烯。
1.氧化石墨剥离
液相去叶的原理也可以用来去角质氧化石墨。氧化石墨烯是一种亲水分子,它可以通过声波或搅拌的方式在水中溶解。因此,这些层被带负电,从而被电斥力所抑制。在离心后,氧化石墨烯必须重新过滤,溶液通过膜腔静脉泵吸入。将石墨烯薄片做成石墨烯纸滤饼。石墨烯在表面上的沉积可以通过简单的滴注法来完成,即把溶液滴在基板上。为了在离心力的帮助下,实现一种更均匀的涂膜法,以使溶液分散。在喷涂涂层的情况下,将溶液喷洒到样品上,这样就可以进行制备。
2.基体制备
为了在非液相中使用分散的石墨烯,有不同的衬底制备方法。通过真空在碳化硅晶体。加热时,碳通过镍层扩散,在表面形成石墨烯或石墨层,这取决于加热速率。由此产生的石墨烯比没有N的简单SiC晶体生长所产生的石墨烯更容易从表面分离出来。
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